Tensión de Recorte de ESD

Fórmula

Descripción

Los dispositivos de protección contra ESD como los diodos TVS y los varistores fijan las tensiones transitorias conduciendo la corriente de sobretensión una vez que se supera su tensión de ruptura. La tensión real que ve el circuito protegido durante un evento ESD es mayor que la tensión de ruptura debido a la resistencia dinámica del dispositivo. Una menor resistencia dinámica significa un mejor recorte y menos sobreimpulso de tensión. La tensión de recorte debe permanecer por debajo de la tensión máxima absoluta del CI protegido para evitar daños.

Variables

• V_clamp — Tensión de pico durante el evento ESD (V)
• V_br — Tensión de ruptura o de disparo del dispositivo de protección (V)
• I_esd — Corriente de pico de ESD (A)
• R_dyn — Resistencia dinámica del dispositivo de protección (Ω)

Notas prácticas

La descarga por contacto IEC 61000-4-2 a ±8 kV produce una corriente de pico de 30 A con un tiempo de subida inferior a 1 ns. Los diodos TVS suelen tener una R_dyn de 0.3-2Ω, mientras que los varistores pueden tener 1-10Ω. Para USB, HDMI y otras interfaces de alta velocidad, seleccione protección ESD con baja capacitancia (< 1 pF) para evitar la degradación de la señal.