Tension d'Écrêtage ESD

Formule

Description

Les dispositifs de protection ESD comme les diodes TVS et les varistances écrêtent les tensions transitoires en conduisant le courant de surtension une fois leur tension de claquage dépassée. La tension réellement vue par le circuit protégé lors d'un événement ESD est supérieure à la tension de claquage en raison de la résistance dynamique du dispositif. Une résistance dynamique plus faible signifie un meilleur écrêtage et un moindre dépassement de tension. La tension d'écrêtage doit rester inférieure à la valeur maximale absolue du circuit intégré protégé pour éviter tout dommage.

Variables

• V_clamp — Tension de crête lors d'un événement ESD (V)
• V_br — Tension de claquage ou d'amorçage du dispositif de protection (V)
• I_esd — Courant ESD de crête (A)
• R_dyn — Résistance dynamique du dispositif de protection (Ω)

Notes pratiques

La décharge par contact selon l'IEC 61000-4-2 à ±8 kV produit un courant de crête de 30 A avec un temps de montée inférieur à 1 ns. Les diodes TVS présentent typiquement une R_dyn de 0,3-2Ω, tandis que les varistances peuvent atteindre 1-10Ω. Pour les interfaces USB, HDMI et autres interfaces rapides, choisissez une protection ESD à faible capacité (< 1 pF) pour éviter la dégradation du signal.