Tensão de Grampeamento ESD

Fórmula

Descrição

Os dispositivos de proteção ESD, como os díodos TVS e os varístores, grampeiam tensões transitórias conduzindo a corrente de surto assim que a sua tensão de rutura é excedida. A tensão efetiva vista pelo circuito protegido durante um evento de ESD é superior à tensão de rutura por causa da resistência dinâmica do dispositivo. Uma menor resistência dinâmica significa melhor grampeamento e menos sobre-elevação de tensão. A tensão de grampeamento deve permanecer abaixo do valor máximo absoluto do circuito integrado protegido para evitar danos.

Variáveis

• V_clamp — Tensão de pico durante o evento de ESD (V)
• V_br — Tensão de rutura ou de disparo do dispositivo de proteção (V)
• I_esd — Corrente de pico de ESD (A)
• R_dyn — Resistência dinâmica do dispositivo de proteção (Ω)

Notas Práticas

A descarga por contacto da IEC 61000-4-2 a ±8 kV produz uma corrente de pico de 30 A com um tempo de subida inferior a 1 ns. Os díodos TVS têm tipicamente R_dyn de 0,3-2Ω, enquanto os varístores podem ter 1-10Ω. Para USB, HDMI e outras interfaces de alta velocidade, selecione proteção ESD de baixa capacitância (< 1 pF) para evitar a degradação do sinal.