Corriente de polarización de emisor de BJT

Fórmula

Descripción

En la configuración estándar de polarización por divisor de tensión, la corriente de colector se determina aproximadamente por la tensión de base (fijada por el divisor) menos la tensión de la unión base-emisor (≈ 0,7 V para silicio), dividida entre la resistencia de emisor. Esto supone que β es lo suficientemente grande como para que Ic ≈ Ie, y que el divisor es rígido (corriente del divisor >> corriente de base). Esta técnica de polarización proporciona una excelente estabilidad frente a la variación de β y a los cambios de temperatura, razón por la cual es la configuración de polarización de BJT más común en los circuitos de transistores discretos.

Variables

• Ic — Corriente de colector (A)
• V_B — Tensión de base del divisor de tensión (V)
• R_E — Resistencia de emisor (Ω)

Notas prácticas

V_BE varía con la temperatura a unos −2 mV/°C, por lo que Ic aumentará ligeramente con la temperatura. Para transistores de germanio, V_BE ≈ 0,3 V. Para que la polarización sea estable, el divisor de tensión debe diseñarse de modo que la corriente del divisor sea al menos 10× la corriente de base: (R1‖R2) < 0,1 × β × RE. La resistencia de colector RC determina la ganancia de tensión: Av ≈ −RC/RE (con condensador de derivación de emisor: Av ≈ −RC×gm).