Pérdida de conducción del MOSFET

Fórmula

Descripción

Cuando un MOSFET está totalmente activado, se comporta como una pequeña resistencia (Rds_on) entre el drenador y la fuente. La potencia disipada durante la conducción sigue la relación I al cuadrado por R. Los MOSFET de potencia modernos tienen valores de Rds_on que van desde miliohmios hasta cientos de miliohmios, según la tensión nominal y el tamaño del chip. Una Rds_on más baja significa menos pérdida de conducción, pero normalmente conlleva una mayor carga de puerta y mayores pérdidas de conmutación. Las pérdidas de conducción dominan a bajas frecuencias de conmutación, mientras que las pérdidas de conmutación dominan a altas frecuencias.

Variables

• P — Pérdida de potencia de conducción (W)
• I — Corriente de drenador (A)
• Rds(on) — Resistencia drenador-fuente en estado de conducción (Ω)

Notas prácticas

La Rds_on aumenta con la temperatura, típicamente duplicándose entre 25°C y 125°C para los MOSFET de silicio. Utilice siempre el valor de Rds_on a la temperatura de unión esperada, no el valor a temperatura ambiente del resumen de la hoja de datos. Para MOSFET en paralelo, la Rds_on se divide entre el número de dispositivos, compartiendo la corriente de forma natural gracias al coeficiente de temperatura positivo.