Courant de Polarisation d'Émetteur de BJT

Formule

Description

Dans la configuration standard de polarisation par pont diviseur de tension, le courant de collecteur est approximativement déterminé par la tension de base (fixée par le pont diviseur) moins la tension de jonction base-émetteur (≈ 0,7 V pour le silicium), divisée par la résistance d'émetteur. Ceci suppose que β est suffisamment grand pour que Ic ≈ Ie, et que le pont diviseur est rigide (courant du pont >> courant de base). Cette technique de polarisation offre une excellente stabilité contre les variations de β et les changements de température, ce qui en fait la configuration de polarisation de BJT la plus courante dans les circuits à transistors discrets.

Variables

• Ic — Courant de collecteur (A)
• V_B — Tension de base issue du pont diviseur (V)
• R_E — Résistance d'émetteur (Ω)

Notes pratiques

V_BE varie avec la température à environ −2 mV/°C, de sorte que Ic augmentera légèrement avec la température. Pour les transistors au germanium, V_BE ≈ 0,3 V. Pour que la polarisation soit stable, le pont diviseur de tension doit être conçu de sorte que le courant du pont soit au moins 10× le courant de base : (R1‖R2) < 0,1 × β × RE. La résistance de collecteur RC détermine le gain en tension : Av ≈ −RC/RE (avec condensateur de découplage d'émetteur : Av ≈ −RC×gm).