Disipación total de BJT
P = VCE × IC + VBE × IB
Respuesta rápida
Esta calculadora resuelve P = VCE × IC + VBE × IB para P. Con VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, el resultado es 24.53 W.
Calculadora
Fórmula
Descripción
La potencia total disipada en un transistor de unión bipolar es la suma de la potencia colector-emisor y la potencia base-emisor. En la mayoría de los circuitos prácticos, el término colector-emisor (VCE × IC) domina porque IC es mucho mayor que IB. Cuando el BJT se usa como interruptor en saturación, VCE_sat es típicamente 0.1-0.3V, lo que hace que la disipación sea bastante baja. En la región activa (lineal), VCE puede ser significativa y el BJT actúa como una resistencia variable, disipando potencialmente grandes cantidades de potencia. El término base-emisor suele ser pequeño, pero no debe ignorarse en cálculos de precisión.
Variables
- P — Disipación de potencia total (W)
- VCE — Tensión colector-emisor (V)
- IC — Corriente de colector (A)
- VBE — Tensión base-emisor (V)
- IB — Corriente de base (A)
Notas prácticas
En saturación, VCE_sat aumenta con la corriente de colector y disminuye con un mayor sobreexcitamiento de base. Una regla práctica común es establecer IB = IC / (β × 0.5) para asegurar una saturación profunda. Las curvas del área de operación segura (SOA) de la hoja de datos definen las combinaciones máximas permisibles de VCE e IC.
Símbolos y unidades
| Símbolo | Significado | Unidad por defecto | Unidades aceptadas |
|---|---|---|---|
| Vce | VCE | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
| Ic | IC | A | pA, nA, µA, mA, A, kA |
| Vbe | VBE | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
| Ib | IB | mA | pA, nA, µA, mA, A, kA |
Paso a paso
- 1. Datos conocidos: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA
- 2. La relación: P = VCE × IC + VBE × IB
- 3. Sustituir: Vce = 12 V, Ic = 2 A, Vbe = 26.4 V, Ib = 20 mA
- 4. Resultado: P = 24.53 W
Magnitudes relacionadas con los mismos datos
- P = V × I = 24 W
Ejemplos resueltos
Rango mínimo
Datos: VCE 0.33 V, IC 2 mA, VBE 0.726 V, IB 100 µA
Resultado: P = 7.33 × 10⁻⁴ W
Rango bajo
Datos: VCE 3.3 V, IC 20 mA, VBE 7.26 V, IB 1 mA
Resultado: P = 0.07326 W
Típico
Datos: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA
Resultado: P = 24.53 W
Rango alto
Datos: VCE 0.23 kV, IC 100 A, VBE 0.506 kV, IB 0.5 A
Resultado: P = 23250 W
Rango máximo
Datos: VCE 2.3 kV, IC 1 kA, VBE 5.06 kV, IB 5 A
Resultado: P = 2.33 × 10⁶ W
Cómo varía P con VCE
| VCE (entrada) | P (resultado) |
|---|---|
| 1.2 V | 2.928 W |
| 3 V | 6.528 W |
| 6 V | 12.53 W |
| 9 V | 18.53 W |
| 12 V | 24.53 W |
| 18 V | 36.53 W |
| 24 V | 48.53 W |
| 48 V | 96.53 W |
| 84 V | 168.5 W |
| 120 V | 240.5 W |
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¿Cómo se calcula Disipación total de BJT?
Usa P = VCE × IC + VBE × IB. Con VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, P resulta 24.53 W.
¿Cuál es la fórmula de Disipación total de BJT?
La fórmula es P = VCE × IC + VBE × IB. La potencia total disipada en un transistor de unión bipolar es la suma de la potencia colector-emisor y la potencia base-emisor.
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