Disipación total de BJT

Fórmula

Descripción

La potencia total disipada en un transistor de unión bipolar es la suma de la potencia colector-emisor y la potencia base-emisor. En la mayoría de los circuitos prácticos, el término colector-emisor (VCE × IC) domina porque IC es mucho mayor que IB. Cuando el BJT se usa como interruptor en saturación, VCE_sat es típicamente 0.1-0.3V, lo que hace que la disipación sea bastante baja. En la región activa (lineal), VCE puede ser significativa y el BJT actúa como una resistencia variable, disipando potencialmente grandes cantidades de potencia. El término base-emisor suele ser pequeño, pero no debe ignorarse en cálculos de precisión.

Variables

• P — Disipación de potencia total (W)
• VCE — Tensión colector-emisor (V)
• IC — Corriente de colector (A)
• VBE — Tensión base-emisor (V)
• IB — Corriente de base (A)

Notas prácticas

En saturación, VCE_sat aumenta con la corriente de colector y disminuye con un mayor sobreexcitamiento de base. Una regla práctica común es establecer IB = IC / (β × 0.5) para asegurar una saturación profunda. Las curvas del área de operación segura (SOA) de la hoja de datos definen las combinaciones máximas permisibles de VCE e IC.