Tiempo Muerto de Medio Puente

Fórmula

Descripción

En un circuito de medio puente o puente completo, el tiempo muerto es el retardo obligatorio entre apagar un MOSFET y encender el otro para evitar el cortocircuito de paso (shoot-through, ambos transistores conduciendo simultáneamente, creando un cortocircuito desde la alimentación a tierra). El tiempo muerto mínimo debe superar el tiempo de apagado del MOSFET, que está dominado por la meseta de Miller donde el controlador de puerta debe extraer la carga puerta-drenador Qgd. El tiempo muerto real debe incluir un margen de seguridad (típicamente 2-3 veces el mínimo calculado) para tener en cuenta la variación de los componentes y los efectos de la temperatura.

Variables

• t_dead — Tiempo muerto mínimo (s)
• Q_gd — Carga puerta-drenador (Miller) del MOSFET (C)
• I_gate — Corriente de descarga del controlador de puerta (A)

Notas prácticas

Tiempos muertos típicos: 50-200 ns para MOSFET de silicio, 20-50 ns para FET de GaN. Durante el tiempo muerto, la corriente del inductor fluye a través del diodo de cuerpo (o el canal inverso en GaN), causando pérdidas por conducción y pérdidas por recuperación inversa. Un tiempo muerto excesivo aumenta las pérdidas del diodo de cuerpo y distorsiona la forma de onda de salida. El control adaptativo del tiempo muerto en los controladores de puerta modernos optimiza este compromiso automáticamente.