Tempo Morto de Meia-Ponte

Fórmula

Descrição

Num circuito de meia-ponte ou de ponte completa, o tempo morto é o atraso obrigatório entre desligar um MOSFET e ligar o outro para evitar o shoot-through (ambos os transístores ligados em simultâneo, criando um curto-circuito da alimentação à massa). O tempo morto mínimo tem de exceder o tempo de desligamento do MOSFET, que é dominado pelo patamar de Miller, onde o driver de porta tem de remover a carga porta-dreno Qgd. O tempo morto real deve incluir margem de segurança (tipicamente 2-3× o mínimo calculado) para ter em conta a variação dos componentes e os efeitos da temperatura.

Variáveis

• t_dead — Tempo morto mínimo (s)
• Q_gd — Carga porta-dreno (Miller) do MOSFET (C)
• I_gate — Corrente de dreno do driver de porta (A)

Notas Práticas

Tempos mortos típicos: 50-200 ns para MOSFETs de silício, 20-50 ns para FETs de GaN. Durante o tempo morto, a corrente da bobina flui através do díodo de corpo (ou do canal inverso no GaN), causando perdas de condução e perdas de recuperação inversa. Um tempo morto excessivo aumenta as perdas no díodo de corpo e distorce a forma de onda de saída. O controlo adaptativo de tempo morto nos drivers de porta modernos otimiza automaticamente este compromisso.