Temps Mort de Demi-Pont

Formule

Description

Dans un circuit en demi-pont ou en pont complet, le temps mort est le délai obligatoire entre le blocage d'un MOSFET et l'amorçage de l'autre, afin d'éviter la conduction croisée (les deux transistors conducteurs simultanément, créant un court-circuit de l'alimentation à la masse). Le temps mort minimal doit dépasser le temps de blocage du MOSFET, qui est dominé par le palier Miller où le driver de grille doit évacuer la charge grille-drain Qgd. Le temps mort réel doit inclure une marge de sécurité (généralement 2 à 3 fois le minimum calculé) pour tenir compte de la dispersion des composants et des effets de température.

Variables

• t_dead — Temps mort minimal (s)
• Q_gd — Charge grille-drain (Miller) du MOSFET (C)
• I_gate — Courant de décharge du driver de grille (A)

Notes pratiques

Temps morts typiques : 50-200 ns pour les MOSFET au silicium, 20-50 ns pour les FET GaN. Pendant le temps mort, le courant de l'inductance circule à travers la diode de structure (ou le canal inverse dans le GaN), provoquant une perte par conduction et une perte par recouvrement inverse. Un temps mort excessif augmente les pertes de la diode de structure et distord la forme d'onde de sortie. Le contrôle adaptatif du temps mort dans les drivers de grille modernes optimise automatiquement ce compromis.