Vf del Diodo vs Temperatura

Fórmula

Descripción

Al igual que los BJT, la tensión directa de un diodo de silicio disminuye aproximadamente 2 mV por grado Celsius. Este coeficiente de temperatura negativo significa que, a medida que un diodo se calienta, cae menos tensión y conduce con mayor facilidad a la misma tensión de polarización. Para diodos en paralelo, esto crea una retroalimentación positiva que puede provocar acaparamiento de corriente, donde un diodo toma la mayor parte de la corriente, se calienta aún más y finalmente falla. Por eso los diodos rara vez se conectan en paralelo para compartir corriente sin resistencias de balastro individuales.

Variables

• Vf — Tensión directa a la temperatura de operación (V)
• Vf_ref — Tensión directa a la temperatura de referencia (V)
• ΔT — Cambio de temperatura respecto a la referencia (°C)

Notas prácticas

Los diodos Schottky tienen un coeficiente de temperatura menor que los diodos PN de silicio. Los LED tienen un tempco de Vf menor, de aproximadamente -1 a -2 mV/°C según el material. Esta dependencia de la temperatura afecta la precisión en los circuitos rectificadores de precisión y debe compensarse en los circuitos de recorte que establecen límites de tensión precisos.