Vf de Diode selon la Température

Formule

Description

Comme pour les BJT, la tension directe d'une diode silicium diminue d'environ 2 mV par degré Celsius. Ce coefficient de température négatif signifie qu'à mesure qu'une diode s'échauffe, elle chute moins de tension et conduit plus facilement à la même tension de polarisation. Pour des diodes en parallèle, cela crée une rétroaction positive qui peut provoquer un accaparement du courant où une diode prend l'essentiel du courant, s'échauffe davantage et finit par défaillir. C'est pourquoi les diodes sont rarement mises en parallèle pour le partage du courant sans résistances de ballast individuelles.

Variables

• Vf — Tension directe à la température de fonctionnement (V)
• Vf_ref — Tension directe à la température de référence (V)
• ΔT — Variation de température par rapport à la référence (°C)

Notes pratiques

Les diodes Schottky ont un coefficient de température plus faible que les diodes PN silicium. Les LED ont un coefficient de température de Vf plus faible, d'environ -1 à -2 mV/°C selon le matériau. Cette dépendance à la température affecte la précision des circuits redresseurs de précision et doit être compensée dans les circuits d'écrêtage qui fixent des limites de tension précises.