Pérdida por Recuperación Inversa del Diodo

Fórmula

Descripción

Cuando un diodo (o el diodo de cuerpo de un MOSFET) se fuerza al corte, la carga de portadores minoritarios almacenada Qrr debe ser evacuada, lo que cortocircuita brevemente la fuente a través del conmutador opuesto. La energía perdida en cada ciclo es aproximadamente la carga de recuperación por la tensión, y escala con la frecuencia. En los convertidores síncronos y en puente de conmutación dura, esta puede ser una de las mayores componentes de pérdida.

Variables

• P — Pérdida por recuperación inversa (W)
• Qrr — Carga de recuperación inversa (C)
• Vin — Tensión en el diodo cuando se recupera (V)
• fsw — Frecuencia de conmutación (Hz)

Notas prácticas

Use diodos de recuperación rápida/suave o diodos Schottky (Qrr casi nulo) para reducir esta pérdida. Por esto los dispositivos de GaN y SiC, con poca o ninguna recuperación inversa, destacan en la conmutación dura de alta frecuencia.