Rds(on) del MOSFET frente a temperatura

Fórmula

Descripción

La resistencia en conducción del MOSFET aumenta significativamente con la temperatura debido a la disminución de la movilidad de los portadores en el canal de silicio. Este coeficiente de temperatura positivo es en realidad beneficioso para el reparto de corriente cuando se conectan MOSFET en paralelo, ya que el dispositivo más caliente toma automáticamente menos corriente. Sin embargo, significa que la Rds(on) a temperatura ambiente del resumen de la hoja de datos subestima considerablemente la resistencia real a las temperaturas de unión de funcionamiento. La Rds(on) de un MOSFET de silicio típico aproximadamente se duplica de 25°C a 125°C.

Variables

• RDS — Rds(on) a la temperatura de funcionamiento (Ω)
• RDS_ref — Rds(on) a la temperatura de referencia, normalmente 25°C (Ω)
• tc — Coeficiente de temperatura (típicamente 0,004 a 0,008 por °C para Si)
• ΔT — Aumento de temperatura respecto a la referencia (°C)

Notas prácticas

Utilice la gráfica de Rds(on) frente a temperatura de la hoja de datos para obtener valores precisos. Los FET de GaN tienen un coeficiente de temperatura menor que el silicio. Los MOSFET de SiC tienen una Rds(on) casi plana frente a la temperatura. Calcule siempre las pérdidas de conducción usando la Rds(on) en caliente, no el valor a 25°C. El modelo linealizado de tc es una aproximación; la relación real es ligeramente no lineal.