Perte de Conduction du MOSFET

Formule

Description

Lorsqu'un MOSFET est entièrement passant, il se comporte comme une petite résistance (Rds_on) entre le drain et la source. La puissance dissipée pendant la conduction suit la relation I²R. Les MOSFET de puissance modernes ont des valeurs de Rds_on allant des milliohms à des centaines de milliohms selon la tension nominale et la taille de la puce. Une Rds_on plus faible signifie moins de perte de conduction mais s'accompagne généralement d'une charge de grille et de pertes de commutation plus élevées. Les pertes de conduction dominent aux basses fréquences de commutation, tandis que les pertes de commutation dominent aux hautes fréquences.

Variables

• P — Perte de puissance par conduction (W)
• I — Courant de drain (A)
• Rds(on) — Résistance drain-source à l'état passant (Ω)

Notes pratiques

La Rds_on augmente avec la température, doublant typiquement entre 25 °C et 125 °C pour les MOSFET au silicium. Utilisez toujours la valeur de Rds_on à la température de jonction attendue, et non la valeur à température ambiante du résumé de la fiche technique. Pour des MOSFET en parallèle, la Rds_on est divisée par le nombre de dispositifs, partageant naturellement le courant grâce au coefficient de température positif.