Perda de Condução do MOSFET

Fórmula

Descrição

Quando um MOSFET está totalmente ligado, comporta-se como uma pequena resistência (Rds_on) entre o dreno e a fonte. A potência dissipada durante a condução segue a relação I²R. Os MOSFETs de potência modernos têm valores de Rds_on que variam de miliohms a centenas de miliohms, consoante a tensão nominal e o tamanho do chip. Menor Rds_on significa menos perda de condução, mas implica tipicamente maior carga de porta e maiores perdas de comutação. As perdas de condução dominam a baixas frequências de comutação, enquanto as perdas de comutação dominam a altas frequências.

Variáveis

• P — Perda de potência por condução (W)
• I — Corrente de dreno (A)
• Rds(on) — Resistência dreno-fonte no estado ligado (Ω)

Notas Práticas

A Rds_on aumenta com a temperatura, duplicando tipicamente entre 25°C e 125°C nos MOSFETs de silício. Use sempre o valor de Rds_on à temperatura de junção esperada, e não o valor à temperatura ambiente do resumo do datasheet. Para MOSFETs em paralelo, a Rds_on divide-se pelo número de dispositivos, partilhando naturalmente a corrente devido ao coeficiente de temperatura positivo.