Rds(on) du MOSFET selon la Température

Formule

Description

La résistance à l'état passant d'un MOSFET augmente fortement avec la température en raison de la diminution de la mobilité des porteurs dans le canal de silicium. Ce coefficient de température positif est en réalité bénéfique pour le partage du courant lorsque des MOSFET sont mis en parallèle, car le composant le plus chaud prend automatiquement moins de courant. Cependant, cela signifie que le Rds(on) à température ambiante indiqué dans le résumé de la fiche technique sous-estime nettement la résistance réelle aux températures de jonction de fonctionnement. Le Rds(on) d'un MOSFET silicium typique double approximativement de 25°C à 125°C.

Variables

• RDS — Rds(on) à la température de fonctionnement (Ω)
• RDS_ref — Rds(on) à la température de référence, généralement 25°C (Ω)
• tc — Coefficient de température (généralement 0,004 à 0,008 par °C pour le Si)
• ΔT — Élévation de température par rapport à la référence (°C)

Notes pratiques

Utilisez la courbe Rds(on) en fonction de la température de la fiche technique pour des valeurs précises. Les FET GaN ont un coefficient de température plus faible que le silicium. Les MOSFET SiC ont un Rds(on) quasiment constant en fonction de la température. Calculez toujours les pertes par conduction avec le Rds(on) à chaud, et non la valeur à 25°C. Le modèle linéarisé de tc est une approximation ; la relation réelle est légèrement non linéaire.