Rds(on) du MOSFET selon la Température

RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)

Réponse rapide

Cette calculatrice résout RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT) pour Rds(on) en Température. Avec Rds(on) de Référence 110 mΩ, Coefficient de Temp 0.5, Variation de Température 50 °C, le résultat est 2.86 Ω. Elle résout dans 2 directions : saisissez les valeurs connues et obtenez celle qui manque.

Calculateur

Rds(on) en Température (mΩ)
—

Formule

RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)

Description

La résistance à l'état passant d'un MOSFET augmente fortement avec la température en raison de la diminution de la mobilité des porteurs dans le canal de silicium. Ce coefficient de température positif est en réalité bénéfique pour le partage du courant lorsque des MOSFET sont mis en parallèle, car le composant le plus chaud prend automatiquement moins de courant. Cependant, cela signifie que le Rds(on) à température ambiante indiqué dans le résumé de la fiche technique sous-estime nettement la résistance réelle aux températures de jonction de fonctionnement. Le Rds(on) d'un MOSFET silicium typique double approximativement de 25°C à 125°C.

Variables

  • RDS — Rds(on) à la température de fonctionnement (Ω)
  • RDS_ref — Rds(on) à la température de référence, généralement 25°C (Ω)
  • tc — Coefficient de température (généralement 0,004 à 0,008 par °C pour le Si)
  • ΔT — Élévation de température par rapport à la référence (°C)

Notes pratiques

Utilisez la courbe Rds(on) en fonction de la température de la fiche technique pour des valeurs précises. Les FET GaN ont un coefficient de température plus faible que le silicium. Les MOSFET SiC ont un Rds(on) quasiment constant en fonction de la température. Calculez toujours les pertes par conduction avec le Rds(on) à chaud, et non la valeur à 25°C. Le modèle linéarisé de tc est une approximation ; la relation réelle est légèrement non linéaire.

Symboles et unités

Symbole Signification Unité par défaut Unités acceptées
RDS Rds(on) en Température mΩ mΩ, Ω, kΩ, MΩ
RDS_ref Rds(on) de Référence mΩ mΩ, Ω, kΩ, MΩ
tc Coefficient de Temp — —
dT Variation de Température °C °C

Étape par étape

  1. 1. Données connues: Rds(on) de Référence 110 mΩ, Coefficient de Temp 0.5, Variation de Température 50 °C
  2. 2. La relation: RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)
  3. 3. Substitution: RDS_ref = 110 mΩ, tc = 0.5, dT = 50 °C
  4. 4. Résultat: Rds(on) en Température = 2.86 Ω

Valeurs normalisées les plus proches

Série Valeur la plus proche Écart
E12 2.7 Ω 5.6%
E24 3 Ω 4.9%

Exemples résolus

Plage minimale

Données: Rds(on) de Référence 0.22 mΩ, Coefficient de Temp 0.025, Variation de Température 2.5 °C

Résultat: Rds(on) en Température = 0.2338 mΩ

Plage basse

Données: Rds(on) de Référence 2.2 mΩ, Coefficient de Temp 0.25, Variation de Température 25 °C

Résultat: Rds(on) en Température = 15.95 mΩ

Typique

Données: Rds(on) de Référence 110 mΩ, Coefficient de Temp 0.5, Variation de Température 50 °C

Résultat: Rds(on) en Température = 2.86 Ω

Plage haute

Données: Rds(on) de Référence 1.1 Ω, Coefficient de Temp 0.8, Variation de Température 85 °C

Résultat: Rds(on) en Température = 75.9 Ω

Plage maximale

Données: Rds(on) de Référence 11 Ω, Coefficient de Temp 8, Variation de Température 850 °C

Résultat: Rds(on) en Température = 74.81 kΩ

Résoudre pour chaque variable

Résoudre Rds(on) en Température

Rds(on) de Référence 0.22 mΩ, Coefficient de Temp 0.025, Variation de Température 2.5 °C → 0.2338 mΩ

Résoudre Rds(on) de Référence

Rds(on) en Température 0.1 mΩ, Coefficient de Temp 0.025, Variation de Température 2.5 °C → 0.09412 mΩ

Variation de Rds(on) en Température selon Rds(on) de Référence

Rds(on) de Référence (entrée) Rds(on) en Température (résultat)
24.2 mΩ 2.952 Ω
60.5 mΩ 7.381 Ω
121 mΩ 14.76 Ω
0.1815 Ω 22.14 Ω
0.242 Ω 29.52 Ω
0.363 Ω 44.29 Ω
0.484 Ω 59.05 Ω
0.968 Ω 118.1 Ω
1.694 Ω 0.2067 kΩ
2.42 Ω 0.2952 kΩ

Le même résultat dans d’autres unités

Unité Valeur
mΩ 2860
Ω 2.86
kΩ 0.00286

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Questions fréquentes

Comment calculer Rds(on) du MOSFET selon la Température ?

Utilisez RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT). Avec Rds(on) de Référence 110 mΩ, Coefficient de Temp 0.5, Variation de Température 50 °C, Rds(on) en Température vaut 2.86 Ω.

Quelle est la formule de Rds(on) du MOSFET selon la Température ?

La formule est RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT). La résistance à l'état passant d'un MOSFET augmente fortement avec la température en raison de la diminution de la mobilité des porteurs dans le canal de silicium.

Comment trouver Rds(on) de Référence en connaissant les autres valeurs ?

Isolez Rds(on) de Référence : avec Rds(on) en Température 0.1 mΩ, Coefficient de Temp 0.025, Variation de Température 2.5 °C, Rds(on) de Référence vaut 0.09412 mΩ.

Quelles unités utilise Rds(on) du MOSFET selon la Température ?

Rds(on) en Température s’affiche en mΩ, Ω, kΩ. Les valeurs sont conservées en unités SI de base en interne, vous pouvez donc mélanger les préfixes sans conversion manuelle.

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