Rds(on) do MOSFET vs Temperatura
RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)
Resposta rápida
Esta calculadora resolve RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT) para Rds(on) à Temp. Com Rds(on) de Referência 110 mΩ, Coeficiente de Temp 0.5, Variação de Temperatura 50 °C, o resultado é 2.86 Ω. Resolve em 2 direções: introduza os valores que tem e obtenha o que falta.
Calculadora
Fórmula
Descrição
A resistência de condução do MOSFET aumenta significativamente com a temperatura devido à diminuição da mobilidade dos portadores no canal de silício. Este coeficiente de temperatura positivo é, na verdade, benéfico para a partilha de corrente quando os MOSFETs são colocados em paralelo, pois o dispositivo mais quente assume automaticamente menos corrente. No entanto, significa que o Rds(on) à temperatura ambiente indicado no resumo da ficha técnica subestima significativamente a resistência real às temperaturas de junção de operação. O Rds(on) de um MOSFET de silício típico aproximadamente duplica de 25°C para 125°C.
Variáveis
- RDS — Rds(on) à temperatura de operação (Ω)
- RDS_ref — Rds(on) à temperatura de referência, geralmente 25°C (Ω)
- tc — Coeficiente de temperatura (tipicamente 0,004 a 0,008 por °C para Si)
- ΔT — Aumento de temperatura em relação à referência (°C)
Notas Práticas
Use o gráfico de Rds(on) vs temperatura da ficha técnica para obter valores precisos. Os FETs de GaN têm um coeficiente de temperatura mais baixo do que o silício. Os MOSFETs de SiC têm um Rds(on) vs temperatura quase plano. Calcule sempre as perdas de condução usando o Rds(on) a quente, não o valor a 25°C. O modelo linearizado de tc é uma aproximação; a relação real é ligeiramente não linear.
Símbolos e unidades
| Símbolo | Significado | Unidade predefinida | Unidades aceitas |
|---|---|---|---|
| RDS | Rds(on) à Temp | mΩ | mΩ, Ω, kΩ, MΩ |
| RDS_ref | Rds(on) de Referência | mΩ | mΩ, Ω, kΩ, MΩ |
| tc | Coeficiente de Temp | — | — |
| dT | Variação de Temperatura | °C | °C |
Passo a passo
- 1. Dados conhecidos: Rds(on) de Referência 110 mΩ, Coeficiente de Temp 0.5, Variação de Temperatura 50 °C
- 2. A relação: RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)
- 3. Substituir: RDS_ref = 110 mΩ, tc = 0.5, dT = 50 °C
- 4. Resultado: Rds(on) à Temp = 2.86 Ω
Valores normalizados mais próximos
| Série | Valor mais próximo | Erro |
|---|---|---|
| E12 | 2.7 Ω | 5.6% |
| E24 | 3 Ω | 4.9% |
Exemplos resolvidos
Faixa mínima
Dados: Rds(on) de Referência 0.22 mΩ, Coeficiente de Temp 0.025, Variação de Temperatura 2.5 °C
Resultado: Rds(on) à Temp = 0.2338 mΩ
Faixa baixa
Dados: Rds(on) de Referência 2.2 mΩ, Coeficiente de Temp 0.25, Variação de Temperatura 25 °C
Resultado: Rds(on) à Temp = 15.95 mΩ
Típico
Dados: Rds(on) de Referência 110 mΩ, Coeficiente de Temp 0.5, Variação de Temperatura 50 °C
Resultado: Rds(on) à Temp = 2.86 Ω
Faixa alta
Dados: Rds(on) de Referência 1.1 Ω, Coeficiente de Temp 0.8, Variação de Temperatura 85 °C
Resultado: Rds(on) à Temp = 75.9 Ω
Faixa máxima
Dados: Rds(on) de Referência 11 Ω, Coeficiente de Temp 8, Variação de Temperatura 850 °C
Resultado: Rds(on) à Temp = 74.81 kΩ
Resolver para cada variável
Resolver Rds(on) à Temp
Rds(on) de Referência 0.22 mΩ, Coeficiente de Temp 0.025, Variação de Temperatura 2.5 °C → 0.2338 mΩ
Resolver Rds(on) de Referência
Rds(on) à Temp 0.1 mΩ, Coeficiente de Temp 0.025, Variação de Temperatura 2.5 °C → 0.09412 mΩ
Como Rds(on) à Temp varia com Rds(on) de Referência
| Rds(on) de Referência (entrada) | Rds(on) à Temp (resultado) |
|---|---|
| 24.2 mΩ | 2.952 Ω |
| 60.5 mΩ | 7.381 Ω |
| 121 mΩ | 14.76 Ω |
| 0.1815 Ω | 22.14 Ω |
| 0.242 Ω | 29.52 Ω |
| 0.363 Ω | 44.29 Ω |
| 0.484 Ω | 59.05 Ω |
| 0.968 Ω | 118.1 Ω |
| 1.694 Ω | 0.2067 kΩ |
| 2.42 Ω | 0.2952 kΩ |
O mesmo resultado noutras unidades
| Unidade | Valor |
|---|---|
| mΩ | 2860 |
| Ω | 2.86 |
| kΩ | 0.00286 |
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Como se calcula Rds(on) do MOSFET vs Temperatura?
Use RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT). Com Rds(on) de Referência 110 mΩ, Coeficiente de Temp 0.5, Variação de Temperatura 50 °C, Rds(on) à Temp dá 2.86 Ω.
Qual é a fórmula de Rds(on) do MOSFET vs Temperatura?
A fórmula é RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT). A resistência de condução do MOSFET aumenta significativamente com a temperatura devido à diminuição da mobilidade dos portadores no canal de silício.
Como obter Rds(on) de Referência conhecendo os outros valores?
Isole Rds(on) de Referência: com Rds(on) à Temp 0.1 mΩ, Coeficiente de Temp 0.025, Variação de Temperatura 2.5 °C, Rds(on) de Referência é 0.09412 mΩ.
Que unidades usa Rds(on) do MOSFET vs Temperatura?
Rds(on) à Temp é apresentado em mΩ, Ω, kΩ. Os valores são guardados internamente em unidades base do SI, pelo que pode misturar prefixos sem converter à mão.
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