Rds(on) do MOSFET vs Temperatura

Fórmula

Descrição

A resistência de condução do MOSFET aumenta significativamente com a temperatura devido à diminuição da mobilidade dos portadores no canal de silício. Este coeficiente de temperatura positivo é, na verdade, benéfico para a partilha de corrente quando os MOSFETs são colocados em paralelo, pois o dispositivo mais quente assume automaticamente menos corrente. No entanto, significa que o Rds(on) à temperatura ambiente indicado no resumo da ficha técnica subestima significativamente a resistência real às temperaturas de junção de operação. O Rds(on) de um MOSFET de silício típico aproximadamente duplica de 25°C para 125°C.

Variáveis

• RDS — Rds(on) à temperatura de operação (Ω)
• RDS_ref — Rds(on) à temperatura de referência, geralmente 25°C (Ω)
• tc — Coeficiente de temperatura (tipicamente 0,004 a 0,008 por °C para Si)
• ΔT — Aumento de temperatura em relação à referência (°C)

Notas Práticas

Use o gráfico de Rds(on) vs temperatura da ficha técnica para obter valores precisos. Os FETs de GaN têm um coeficiente de temperatura mais baixo do que o silício. Os MOSFETs de SiC têm um Rds(on) vs temperatura quase plano. Calcule sempre as perdas de condução usando o Rds(on) a quente, não o valor a 25°C. O modelo linearizado de tc é uma aproximação; a relação real é ligeiramente não linear.