Energía de avalancha del MOSFET

Fórmula

Descripción

Cuando un MOSFET corta una carga inductiva sin un diodo de libre circulación, la corriente del inductor fuerza la tensión de drenaje por encima de la tensión de alimentación hasta que el MOSFET entra en ruptura por avalancha. El MOSFET debe absorber la energía inductiva almacenada (½LI²) multiplicada por un factor Vbr/(Vbr − Vcc) que tiene en cuenta la energía adicional que aporta la tensión de alimentación durante el evento de avalancha. La hoja de datos del MOSFET especifica una energía máxima de avalancha de pulso único (EAS). Superar este valor causa daños permanentes o destrucción.

Variables

• L — Inductancia parásita o de carga (H)
• I — Corriente que circula cuando se abre el interruptor (A)
• V_br — Tensión de ruptura por avalancha del MOSFET (V)
• V_cc — Tensión de alimentación (V)

Notas prácticas

El resultado se expresa en julios. Asegúrese siempre de que la energía calculada esté muy por debajo del valor EAS del MOSFET, teniendo en cuenta la reducción por temperatura. Los valores EAS disminuyen significativamente a temperaturas elevadas. Para un funcionamiento fiable, mantenga la energía de avalancha por debajo del 25 % del EAS especificado. Añadir un snubber (RC o RCD) o un diodo TVS en paralelo con el MOSFET puede recortar la tensión y evitar la avalancha por completo.