Energia de Avalanche do MOSFET

Fórmula

Descrição

Quando um MOSFET desliga uma carga indutiva sem um díodo de roda livre, a corrente da bobina força a tensão de dreno acima da tensão de alimentação até o MOSFET entrar em rutura por avalanche. O MOSFET tem de absorver a energia indutiva armazenada (½LI²) multiplicada por um fator Vbr/(Vbr − Vcc) que tem em conta a energia adicional fornecida pela tensão de alimentação durante o evento de avalanche. A folha de dados do MOSFET especifica uma classificação máxima de energia de avalanche de impulso único (EAS). Exceder este valor causa danos permanentes ou destruição.

Variáveis

• L — Indutância parasita ou de carga (H)
• I — Corrente a fluir quando o comutador abre (A)
• V_br — Tensão de rutura por avalanche do MOSFET (V)
• V_cc — Tensão de alimentação (V)

Notas Práticas

O resultado é em joules. Garanta sempre que a energia calculada está bem abaixo da classificação EAS do MOSFET, tendo em conta a redução por temperatura. As classificações EAS diminuem significativamente a temperaturas elevadas. Para uma operação fiável, mantenha a energia de avalanche abaixo de 25% da EAS nominal. Adicionar um snubber (RC ou RCD) ou um díodo TVS aos terminais do MOSFET pode limitar a tensão e evitar totalmente a avalanche.