Énergie d'Avalanche du MOSFET

Eas = 0.5 × L × I² × Vbr/(Vbr − Vcc)

Calculateur

Résultat
—

Formule

E_as = ½ × L × I² × V_br / (V_br − V_cc)

Description

Lorsqu'un MOSFET bloque une charge inductive sans diode de roue libre, le courant de l'inductance force la tension de drain au-dessus de la tension d'alimentation jusqu'à ce que le MOSFET entre en claquage par avalanche. Le MOSFET doit absorber l'énergie inductive stockée (½LI²) multipliée par un facteur Vbr/(Vbr − Vcc) qui tient compte de l'énergie supplémentaire fournie par la tension d'alimentation pendant l'événement d'avalanche. La fiche technique du MOSFET spécifie une énergie d'avalanche maximale en impulsion unique (EAS). Dépasser cette valeur provoque des dommages permanents ou la destruction.

Variables

  • L — Inductance parasite ou de charge (H)
  • I — Courant circulant à l'ouverture de l'interrupteur (A)
  • V_br — Tension de claquage par avalanche du MOSFET (V)
  • V_cc — Tension d'alimentation (V)

Notes pratiques

Le résultat est en joules. Assurez-vous toujours que l'énergie calculée est bien inférieure à la valeur EAS du MOSFET, en tenant compte du déclassement en température. Les valeurs EAS diminuent significativement aux températures élevées. Pour un fonctionnement fiable, maintenez l'énergie d'avalanche en dessous de 25 % de l'EAS nominal. L'ajout d'un circuit d'amortissement (RC ou RCD) ou d'une diode TVS aux bornes du MOSFET peut écrêter la tension et empêcher entièrement l'avalanche.

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