Énergie d'Avalanche du MOSFET
Eas = 0.5 × L × I² × Vbr/(Vbr − Vcc)
Réponse rapide
Cette calculatrice résout E_as = ½ × L × I² × V_br / (V_br − V_cc) pour Eas. Avec Inductance 100 µH, Courant au Blocage 2 A, Tension de Claquage 12 V, Tension d'Alimentation 26.4 V, le résultat est -1.67 × 10⁻⁴.
Calculateur
Formule
Description
Lorsqu'un MOSFET bloque une charge inductive sans diode de roue libre, le courant de l'inductance force la tension de drain au-dessus de la tension d'alimentation jusqu'à ce que le MOSFET entre en claquage par avalanche. Le MOSFET doit absorber l'énergie inductive stockée (½LI²) multipliée par un facteur Vbr/(Vbr − Vcc) qui tient compte de l'énergie supplémentaire fournie par la tension d'alimentation pendant l'événement d'avalanche. La fiche technique du MOSFET spécifie une énergie d'avalanche maximale en impulsion unique (EAS). Dépasser cette valeur provoque des dommages permanents ou la destruction.
Variables
- L — Inductance parasite ou de charge (H)
- I — Courant circulant à l'ouverture de l'interrupteur (A)
- V_br — Tension de claquage par avalanche du MOSFET (V)
- V_cc — Tension d'alimentation (V)
Notes pratiques
Le résultat est en joules. Assurez-vous toujours que l'énergie calculée est bien inférieure à la valeur EAS du MOSFET, en tenant compte du déclassement en température. Les valeurs EAS diminuent significativement aux températures élevées. Pour un fonctionnement fiable, maintenez l'énergie d'avalanche en dessous de 25 % de l'EAS nominal. L'ajout d'un circuit d'amortissement (RC ou RCD) ou d'une diode TVS aux bornes du MOSFET peut écrêter la tension et empêcher entièrement l'avalanche.
Symboles et unités
| Symbole | Signification | Unité par défaut | Unités acceptées |
|---|---|---|---|
| L | Inductance | µH | nH, µH, mH, H |
| I | Courant au Blocage | A | pA, nA, µA, mA, A, kA |
| Vbr | Tension de Claquage | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
| Vcc | Tension d'Alimentation | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
Étape par étape
- 1. Données connues: Inductance 100 µH, Courant au Blocage 2 A, Tension de Claquage 12 V, Tension d'Alimentation 26.4 V
- 2. La relation: E_as = ½ × L × I² × V_br / (V_br − V_cc)
- 3. Substitution: L = 100 µH, I = 2 A, Vbr = 12 V, Vcc = 26.4 V
- 4. Résultat: Eas = -1.67 × 10⁻⁴
Grandeurs associées à partir des mêmes données
- P = V × I = 24 W
Exemples résolus
Plage minimale
Données: Inductance 100 nH, Courant au Blocage 2 mA, Tension de Claquage 0.33 V, Tension d'Alimentation 0.726 V
Résultat: Eas = -1.67 × 10⁻¹³
Plage basse
Données: Inductance 1 µH, Courant au Blocage 20 mA, Tension de Claquage 3.3 V, Tension d'Alimentation 7.26 V
Résultat: Eas = -1.67 × 10⁻¹⁰
Typique
Données: Inductance 100 µH, Courant au Blocage 2 A, Tension de Claquage 12 V, Tension d'Alimentation 26.4 V
Résultat: Eas = -1.67 × 10⁻⁴
Plage haute
Données: Inductance 0.47 mH, Courant au Blocage 100 A, Tension de Claquage 0.23 kV, Tension d'Alimentation 0.506 kV
Résultat: Eas = -1.958
Plage maximale
Données: Inductance 4.7 mH, Courant au Blocage 1 kA, Tension de Claquage 2.3 kV, Tension d'Alimentation 5.06 kV
Résultat: Eas = -1958
Variation de Eas selon Inductance
| Inductance (entrée) | Eas (résultat) |
|---|---|
| 10 µH | -1.67 × 10⁻⁵ |
| 25 µH | -4.17 × 10⁻⁵ |
| 50 µH | -8.33 × 10⁻⁵ |
| 75 µH | -1.25 × 10⁻⁴ |
| 100 µH | -1.67 × 10⁻⁴ |
| 150 µH | -2.5 × 10⁻⁴ |
| 0.2 mH | -3.33 × 10⁻⁴ |
| 0.4 mH | -6.67 × 10⁻⁴ |
| 0.7 mH | -0.001167 |
| 1 mH | -0.001667 |
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Comment calculer Énergie d'Avalanche du MOSFET ?
Utilisez E_as = ½ × L × I² × V_br / (V_br − V_cc). Avec Inductance 100 µH, Courant au Blocage 2 A, Tension de Claquage 12 V, Tension d'Alimentation 26.4 V, Eas vaut -1.67 × 10⁻⁴.
Comment calculer mosfet avalanche calculation ?
Isolez E_as : avec Inductance 1 µH, Courant au Blocage 20 mA, Tension de Claquage 3.3 V, Tension d'Alimentation 7.26 V, E_as vaut -1.67 × 10⁻¹⁰.
Comment calculer avalanche energy calculate ?
Isolez E_as : avec Inductance 100 µH, Courant au Blocage 2 A, Tension de Claquage 12 V, Tension d'Alimentation 26.4 V, E_as vaut -1.67 × 10⁻⁴.
Quelle est la formule de Énergie d'Avalanche du MOSFET ?
La formule est E_as = ½ × L × I² × V_br / (V_br − V_cc). Lorsqu'un MOSFET bloque une charge inductive sans diode de roue libre, le courant de l'inductance force la tension de drain au-dessus de la tension d'alimentation jusqu'à ce que le MOSFET entre en claquage par avalanche.
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