Dissipação Total do BJT

P = VCE × IC + VBE × IB

Resposta rápida

Esta calculadora resolve P = VCE × IC + VBE × IB para P. Com VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, o resultado é 24.53 W.

Calculadora

Resultado
—

Fórmula

P = VCE × IC + VBE × IB

Descrição

A potência total dissipada num transístor bipolar de junção é a soma da potência coletor-emissor com a potência base-emissor. Na maioria dos circuitos práticos, o termo coletor-emissor (VCE × IC) domina, porque IC é muito maior do que IB. Quando o BJT é usado como interruptor em saturação, VCE_sat ronda tipicamente 0,1-0,3V, tornando a dissipação bastante baixa. Na região ativa (linear), VCE pode ser significativa e o BJT comporta-se como uma resistência variável, dissipando potencialmente grandes quantidades de potência. O termo base-emissor é geralmente pequeno, mas não deve ser ignorado em cálculos de precisão.

Variáveis

  • P — Dissipação total de potência (W)
  • VCE — Tensão coletor-emissor (V)
  • IC — Corrente de coletor (A)
  • VBE — Tensão base-emissor (V)
  • IB — Corrente de base (A)

Notas Práticas

Em saturação, VCE_sat aumenta com a corrente de coletor e diminui com um maior sobreexcesso de base. Uma regra prática comum é definir IB = IC / (β × 0,5) para garantir uma saturação profunda. As curvas de área de operação segura (SOA) do datasheet definem as combinações máximas admissíveis de VCE e IC.

Símbolos e unidades

Símbolo Significado Unidade predefinida Unidades aceitas
Vce VCE V pV, nV, µV, mV, V, kV
Ic IC A pA, nA, µA, mA, A, kA
Vbe VBE V pV, nV, µV, mV, V, kV
Ib IB mA pA, nA, µA, mA, A, kA

Passo a passo

  1. 1. Dados conhecidos: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA
  2. 2. A relação: P = VCE × IC + VBE × IB
  3. 3. Substituir: Vce = 12 V, Ic = 2 A, Vbe = 26.4 V, Ib = 20 mA
  4. 4. Resultado: P = 24.53 W

Grandezas relacionadas com os mesmos dados

  • P = V × I = 24 W

Exemplos resolvidos

Faixa mínima

Dados: VCE 0.33 V, IC 2 mA, VBE 0.726 V, IB 100 µA

Resultado: P = 7.33 × 10⁻⁴ W

Faixa baixa

Dados: VCE 3.3 V, IC 20 mA, VBE 7.26 V, IB 1 mA

Resultado: P = 0.07326 W

Típico

Dados: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA

Resultado: P = 24.53 W

Faixa alta

Dados: VCE 0.23 kV, IC 100 A, VBE 0.506 kV, IB 0.5 A

Resultado: P = 23250 W

Faixa máxima

Dados: VCE 2.3 kV, IC 1 kA, VBE 5.06 kV, IB 5 A

Resultado: P = 2.33 × 10⁶ W

Como P varia com VCE

VCE (entrada) P (resultado)
1.2 V 2.928 W
3 V 6.528 W
6 V 12.53 W
9 V 18.53 W
12 V 24.53 W
18 V 36.53 W
24 V 48.53 W
48 V 96.53 W
84 V 168.5 W
120 V 240.5 W

Incorporar esta calculadora

Cole isto em qualquer página. Continua a funcionar quando esta página é atualizada e credita a fonte.

<iframe src="https://vbatpower.com/embed/bjt-power/" width="100%" height="460" style="border:1px solid #1f2a37;border-radius:12px" loading="lazy" title="Dissipação Total do BJT"></iframe>
<p><a href="https://vbatpower.com/formulas/bjt-power/">Dissipação Total do BJT</a> Calculadora por vbatpower.com</p>

Perguntas frequentes

Como se calcula Dissipação Total do BJT?

Use P = VCE × IC + VBE × IB. Com VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, P dá 24.53 W.

Qual é a fórmula de Dissipação Total do BJT?

A fórmula é P = VCE × IC + VBE × IB. A potência total dissipada num transístor bipolar de junção é a soma da potência coletor-emissor com a potência base-emissor.

Conceitos Relacionados

Todas as fórmulas de Semicondutores →
Perda de Condução do MOSFET Perda de Comutação do MOSFET Dissipação Total do BJT Perda de Potência no Díodo Resistência de Regulação Zener Ganho de Corrente do Transístor (β) Potência de Comando de Porta do MOSFET Rds(on) do MOSFET vs Temperatura

Precisa de mais funcionalidades?

Guarde cálculos, importe dados de telemetria, simule a descarga de baterias e colabore com a sua equipa.

Experimentar a Aplicação