Dissipação Total do BJT

Fórmula

Descrição

A potência total dissipada num transístor bipolar de junção é a soma da potência coletor-emissor com a potência base-emissor. Na maioria dos circuitos práticos, o termo coletor-emissor (VCE × IC) domina, porque IC é muito maior do que IB. Quando o BJT é usado como interruptor em saturação, VCE_sat ronda tipicamente 0,1-0,3V, tornando a dissipação bastante baixa. Na região ativa (linear), VCE pode ser significativa e o BJT comporta-se como uma resistência variável, dissipando potencialmente grandes quantidades de potência. O termo base-emissor é geralmente pequeno, mas não deve ser ignorado em cálculos de precisão.

Variáveis

• P — Dissipação total de potência (W)
• VCE — Tensão coletor-emissor (V)
• IC — Corrente de coletor (A)
• VBE — Tensão base-emissor (V)
• IB — Corrente de base (A)

Notas Práticas

Em saturação, VCE_sat aumenta com a corrente de coletor e diminui com um maior sobreexcesso de base. Uma regra prática comum é definir IB = IC / (β × 0,5) para garantir uma saturação profunda. As curvas de área de operação segura (SOA) do datasheet definem as combinações máximas admissíveis de VCE e IC.