Dissipation Totale du BJT
P = VCE × IC + VBE × IB
Réponse rapide
Cette calculatrice résout P = VCE × IC + VBE × IB pour P. Avec VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, le résultat est 24.53 W.
Calculateur
Formule
Description
La puissance totale dissipée dans un transistor bipolaire à jonction est la somme de la puissance collecteur-émetteur et de la puissance base-émetteur. Dans la plupart des circuits pratiques, le terme collecteur-émetteur (VCE × IC) domine car IC est bien plus grand que IB. Lorsque le BJT est utilisé comme commutateur en saturation, VCE_sat est typiquement de 0,1 à 0,3 V, ce qui rend la dissipation assez faible. Dans la région active (linéaire), VCE peut être significatif et le BJT agit comme une résistance variable, dissipant potentiellement de grandes quantités de puissance. Le terme base-émetteur est généralement faible mais ne doit pas être ignoré dans les calculs de précision.
Variables
- P — Dissipation de puissance totale (W)
- VCE — Tension collecteur-émetteur (V)
- IC — Courant de collecteur (A)
- VBE — Tension base-émetteur (V)
- IB — Courant de base (A)
Notes pratiques
En saturation, VCE_sat augmente avec le courant de collecteur et diminue avec une suralimentation de base plus élevée. Une règle empirique courante consiste à fixer IB = IC / (β × 0,5) pour assurer une saturation profonde. Les courbes de zone de fonctionnement sûr (SOA) de la fiche technique définissent les combinaisons maximales admissibles de VCE et IC.
Symboles et unités
| Symbole | Signification | Unité par défaut | Unités acceptées |
|---|---|---|---|
| Vce | VCE | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
| Ic | IC | A | pA, nA, µA, mA, A, kA |
| Vbe | VBE | V | pV, nV, µV, mV, V, kV |
| Ib | IB | mA | pA, nA, µA, mA, A, kA |
Étape par étape
- 1. Données connues: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA
- 2. La relation: P = VCE × IC + VBE × IB
- 3. Substitution: Vce = 12 V, Ic = 2 A, Vbe = 26.4 V, Ib = 20 mA
- 4. Résultat: P = 24.53 W
Grandeurs associées à partir des mêmes données
- P = V × I = 24 W
Exemples résolus
Plage minimale
Données: VCE 0.33 V, IC 2 mA, VBE 0.726 V, IB 100 µA
Résultat: P = 7.33 × 10⁻⁴ W
Plage basse
Données: VCE 3.3 V, IC 20 mA, VBE 7.26 V, IB 1 mA
Résultat: P = 0.07326 W
Typique
Données: VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA
Résultat: P = 24.53 W
Plage haute
Données: VCE 0.23 kV, IC 100 A, VBE 0.506 kV, IB 0.5 A
Résultat: P = 23250 W
Plage maximale
Données: VCE 2.3 kV, IC 1 kA, VBE 5.06 kV, IB 5 A
Résultat: P = 2.33 × 10⁶ W
Variation de P selon VCE
| VCE (entrée) | P (résultat) |
|---|---|
| 1.2 V | 2.928 W |
| 3 V | 6.528 W |
| 6 V | 12.53 W |
| 9 V | 18.53 W |
| 12 V | 24.53 W |
| 18 V | 36.53 W |
| 24 V | 48.53 W |
| 48 V | 96.53 W |
| 84 V | 168.5 W |
| 120 V | 240.5 W |
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Comment calculer Dissipation Totale du BJT ?
Utilisez P = VCE × IC + VBE × IB. Avec VCE 12 V, IC 2 A, VBE 26.4 V, IB 20 mA, P vaut 24.53 W.
Quelle est la formule de Dissipation Totale du BJT ?
La formule est P = VCE × IC + VBE × IB. La puissance totale dissipée dans un transistor bipolaire à jonction est la somme de la puissance collecteur-émetteur et de la puissance base-émetteur.
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