Dissipation Totale du BJT

Formule

Description

La puissance totale dissipée dans un transistor bipolaire à jonction est la somme de la puissance collecteur-émetteur et de la puissance base-émetteur. Dans la plupart des circuits pratiques, le terme collecteur-émetteur (VCE × IC) domine car IC est bien plus grand que IB. Lorsque le BJT est utilisé comme commutateur en saturation, VCE_sat est typiquement de 0,1 à 0,3 V, ce qui rend la dissipation assez faible. Dans la région active (linéaire), VCE peut être significatif et le BJT agit comme une résistance variable, dissipant potentiellement de grandes quantités de puissance. Le terme base-émetteur est généralement faible mais ne doit pas être ignoré dans les calculs de précision.

Variables

• P — Dissipation de puissance totale (W)
• VCE — Tension collecteur-émetteur (V)
• IC — Courant de collecteur (A)
• VBE — Tension base-émetteur (V)
• IB — Courant de base (A)

Notes pratiques

En saturation, VCE_sat augmente avec le courant de collecteur et diminue avec une suralimentation de base plus élevée. Une règle empirique courante consiste à fixer IB = IC / (β × 0,5) pour assurer une saturation profonde. Les courbes de zone de fonctionnement sûr (SOA) de la fiche technique définissent les combinaisons maximales admissibles de VCE et IC.