What is the formula for Vbe del BJT frente a la temperatura?

The Vbe del BJT frente a la temperatura formula is Vbe(T) = Vbe_ref − 0.002 × ΔT, where Vbe—Tensión base-emisor a la temperatura de operación (V); Vbe_ref—Vbe a la temperatura de referencia (V); ΔT—Cambio de temperatura respecto a la referencia (°C).

What does Vbe mean in the Vbe del BJT frente a la temperatura formula?

Vbe is Tensión base-emisor a la temperatura de operación (V).

Vbe del BJT frente a la temperatura

Q: How do you calculate Vbe del BJT frente a la temperatura?

Use the formula Vbe(T) = Vbe_ref − 0.002 × ΔT. La tensión base-emisor de un BJT disminuye aproximadamente 2 mV por cada grado Celsius de aumento de temperatura. Enter the values you know in the calculator above and it solves for the remaining variable.

Vbe(T) = Vbe_ref − 0.002 × ΔT

Calculadora

Vbe a temperatura

Vbe de referencia

Cambio de temperatura

Resultado

—

Fórmula

Vbe(T) = Vbe_ref − 0.002 × ΔT

Descripción

La tensión base-emisor de un BJT disminuye aproximadamente 2 mV por cada grado Celsius de aumento de temperatura. Este conocido coeficiente de temperatura es notablemente constante entre diferentes tipos de transistores y se aprovecha en referencias de tensión de banda prohibida (bandgap) y en sensores de temperatura. A temperatura ambiente, Vbe es típicamente 0.6-0.7V para transistores de silicio, descendiendo a aproximadamente 0.5V a 100°C por encima del ambiente. Esta sensibilidad a la temperatura debe tenerse en cuenta en el diseño de circuitos de polarización para evitar el embalamiento térmico en transistores de potencia.

Variables

Vbe — Tensión base-emisor a la temperatura de operación (V)
Vbe_ref — Vbe a la temperatura de referencia (V)
ΔT — Cambio de temperatura respecto a la referencia (°C)

Notas prácticas

El coeficiente de -2 mV/°C es una aproximación que funciona bien de -40°C a +125°C. La relación real es: Vbe = (kT/q) × ln(Ic/Is), donde Is se duplica aproximadamente cada 10°C. Las referencias de banda prohibida (bandgap) combinan este coeficiente de temperatura negativo con el coeficiente positivo de ΔVbe entre dos transistores para producir una referencia de 1.2V independiente de la temperatura.

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