Vbe do BJT vs Temperatura

Fórmula

Descrição

A tensão base-emissor de um BJT diminui aproximadamente 2 mV por cada grau Celsius de aumento da temperatura. Este conhecido coeficiente de temperatura é notavelmente consistente entre diferentes tipos de transístores e é explorado em referências de tensão de bandgap e em sensores de temperatura. À temperatura ambiente, Vbe é tipicamente 0,6-0,7V para transístores de silício, descendo para cerca de 0,5V a 100°C acima do ambiente. Esta sensibilidade à temperatura deve ser considerada no projeto de circuitos de polarização para evitar a fuga térmica em transístores de potência.

Variáveis

• Vbe — Tensão base-emissor à temperatura de operação (V)
• Vbe_ref — Vbe à temperatura de referência (V)
• ΔT — Variação de temperatura em relação à referência (°C)

Notas Práticas

O coeficiente de -2 mV/°C é uma aproximação que funciona bem de -40°C a +125°C. A relação real é: Vbe = (kT/q) × ln(Ic/Is), onde Is duplica aproximadamente a cada 10°C. As referências de bandgap combinam este coeficiente de temperatura negativo com o coeficiente de temperatura positivo de ΔVbe entre dois transístores para produzir uma referência de 1,2V independente da temperatura.