Vbe du BJT selon la Température

Formule

Description

La tension base-émetteur d'un BJT diminue d'environ 2 mV par degré Celsius d'augmentation de la température. Ce coefficient de température bien connu est remarquablement constant entre les différents types de transistors et est exploité dans les références de tension à bande interdite et les capteurs de température. À température ambiante, Vbe vaut typiquement 0,6 à 0,7 V pour les transistors silicium, descendant à environ 0,5 V à 100°C au-dessus de l'ambiante. Cette sensibilité à la température doit être prise en compte dans la conception des circuits de polarisation pour éviter l'emballement thermique des transistors de puissance.

Variables

• Vbe — Tension base-émetteur à la température de fonctionnement (V)
• Vbe_ref — Vbe à la température de référence (V)
• ΔT — Variation de température par rapport à la référence (°C)

Notes pratiques

Le coefficient de -2 mV/°C est une approximation qui fonctionne bien de -40°C à +125°C. La relation réelle est : Vbe = (kT/q) × ln(Ic/Is), où Is double approximativement tous les 10°C. Les références à bande interdite combinent ce coefficient de température négatif avec le coefficient positif du ΔVbe entre deux transistors pour produire une référence de 1,2 V indépendante de la température.