Corrente de Dreno do MOSFET (Saturação)

Id = K · (Vgs − Vth)²

Calculadora

Resultado
—

Fórmula

Id = K × (Vgs − Vth)² (K = ½·µ·Cox·W/L)

Descrição

Em saturação, a corrente de dreno de um MOSFET de enriquecimento segue uma lei quadrática na sobretensão de porta (Vgs menos o limiar). O parâmetro de condução K agrupa a mobilidade dos portadores, a capacitância do óxido e a razão largura/comprimento do canal. Esta é a equação de projeto para polarizar andares amplificadores e fontes de corrente com MOSFET e para dimensionar comutadores.

Variáveis

  • Id — Corrente de dreno (A)
  • K — Parâmetro de condução ½µCox(W/L) (A/V²)
  • Vgs — Tensão porta-fonte (V)
  • Vth — Tensão de limiar (V)

Notas Práticas

Válida apenas acima do limiar e em saturação (Vds > Vgs − Vth). A transcondutância gm = 2·K·(Vgs − Vth) = 2·√(K·Id), pelo que gm cresce com a corrente de polarização—ao contrário do gm linear de um BJT.

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