Corriente de Drenador del MOSFET (Saturación)

Id = K · (Vgs − Vth)²

Calculadora

Resultado
—

Fórmula

Id = K × (Vgs − Vth)² (K = ½·µ·Cox·W/L)

Descripción

En saturación, la corriente de drenador de un MOSFET de enriquecimiento sigue una ley cuadrática en la sobretensión de puerta (Vgs menos el umbral). El parámetro de conducción K agrupa la movilidad de los portadores, la capacitancia del óxido y la relación ancho-largo del canal. Esta es la ecuación de diseño para polarizar etapas amplificadoras y de fuente de corriente con MOSFET y para dimensionar conmutadores.

Variables

  • Id — Corriente de drenador (A)
  • K — Parámetro de conducción ½µCox(W/L) (A/V²)
  • Vgs — Tensión puerta-surtidor (V)
  • Vth — Tensión de umbral (V)

Notas prácticas

Válida solo por encima del umbral y en saturación (Vds > Vgs − Vth). La transconductancia gm = 2·K·(Vgs − Vth) = 2·√(K·Id), por lo que gm crece con la corriente de polarización, a diferencia de la gm lineal de un BJT.

Conceptos relacionados

Todas las fórmulas de Amplificadores discretos →
Tensión Térmica Resistencia de Emisor de Pequeña Señal Transconductancia del Transistor Resistencia Dinámica del Diodo Ganancia de Tensión en Emisor Común Relación Alfa–Beta del BJT Ganancia de Corriente del Par Darlington Impedancia de Entrada del Seguidor de Emisor

¿Necesitas más funciones?

Guarda cálculos, importa datos de telemetría, simula la descarga de la batería y colabora con tu equipo.

Probar la aplicación