Courant de Drain du MOSFET (Saturation)

Formule

Description

En saturation, le courant de drain d'un MOSFET à enrichissement suit une loi quadratique de la surtension de grille (Vgs moins le seuil). Le paramètre de conduction K regroupe la mobilité des porteurs, la capacité d'oxyde et le rapport largeur sur longueur du canal. C'est l'équation de conception pour polariser les étages amplificateurs et sources de courant à MOSFET et pour dimensionner les commutateurs.

Variables

• Id — Courant de drain (A)
• K — Paramètre de conduction ½µCox(W/L) (A/V²)
• Vgs — Tension grille-source (V)
• Vth — Tension de seuil (V)

Notes pratiques

Valable uniquement au-dessus du seuil et en saturation (Vds > Vgs − Vth). Transconductance gm = 2·K·(Vgs − Vth) = 2·√(K·Id), de sorte que gm croît avec le courant de polarisation—contrairement au gm linéaire d'un BJT.