Fórmulas de Amplificadores discretos
Las fórmulas de Amplificadores discretos cubren Tensión Térmica, Resistencia de Emisor de Pequeña Señal, Transconductancia del Transistor y más. Estas calculadoras te permiten resolver cualquier incógnita introduciendo los valores que ya conoces. Úsalas para comprobaciones rápidas de diseño, estudio y verificación de circuitos reales.
Calculadoras de fórmulas de Amplificadores discretos
- Tensión Térmica VT = k · T / q Temperature 7.7 K → Thermal Voltage = 0.6635 mV
- Resistencia de Emisor de Pequeña Señal re = VT / Ie Thermal Voltage 10 mV, Emitter Current 100 µA → Emitter Resistance = 100 Ω
- Transconductancia del Transistor gm = Ic / VT Collector Current 100 µA, Thermal Voltage 10 mV → Transconductance = 10 mS
- Resistencia Dinámica del Diodo rd = VT / Id Thermal Voltage 10 mV, Diode Current 100 µA → Dynamic Resistance = 100 Ω
- Ganancia de Tensión en Emisor Común Av = −Rc / re Collector Resistor 100 Ω, Emitter Resistance 1 Ω → Voltage Gain = -100
- Relación Alfa–Beta del BJT α = β/(β+1), β = α/(1−α) Common-Emitter Gain β 0.055 → Common-Base Gain α = 0.05213
- Ganancia de Corriente del Par Darlington βtotal = β1 · β2 Gain β1 0.055, Gain β2 0.118 → Total Gain = 0.00649
- Impedancia de Entrada del Seguidor de Emisor Zin ≈ β · RE Current Gain β 0.025, Emitter Resistor 0.22 kΩ → Input Impedance = 5.5 Ω
- Ganancia de Amplificador en Cascada Av = Av1 · Av2 · Av3 Stage 1 Gain 0.055, Stage 2 Gain 0.118, Stage 3 Gain 0.0118 → Total Gain = 7.66 × 10⁻⁵
- Corriente de Drenador del JFET (Shockley) Id = Idss · (1 − Vgs/Vp)² Idss 0.22 mA, Gate-Source Voltage 0.33 V, Pinch-off Voltage 0.726 V → Drain Current = 65.45 µA
- Corriente de Drenador del MOSFET (Saturación) Id = K · (Vgs − Vth)² Conduction Parameter 100 µA/V², Gate-Source Voltage 0.33 V, Threshold Voltage 0.726 V → Drain Current = 15.68 µA
- Resistencia de Base del Transistor Conmutador Rb = (Vin − Vbe) · β / Ic Drive Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Current Gain β 0.025, Collector Current 100 µA → Base Resistor = -99 Ω
- Ganancia de Potencia del Amplificador Ap = Av · Ai Voltage Gain 0.055, Current Gain 0.118 → Power Gain = 0.00649
- Corriente de Polarización de Emisor del BJT Ic ≈ (Vb − Vbe) / Re Base Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Emitter Resistor 100 Ω → Collector Current = -3.96 mA
- Ganancia del JFET en Fuente Común Av = −gm · Rd Transconductance 100 µS, Drain Resistor 100 Ω → Voltage Gain = -0.01
- Ganancia de Corriente en Colector Común Ai = β + 1 Current Gain β 0.055 → Current Gain = 1.055
Resultado resuelto para cada fórmula de Amplificadores discretos
| Fórmula | Expresión | Resultado resuelto |
|---|---|---|
| Tensión Térmica | VT = k · T / q | Temperature 7.7 K → Thermal Voltage = 0.6635 mV |
| Resistencia de Emisor de Pequeña Señal | re = VT / Ie | Thermal Voltage 10 mV, Emitter Current 100 µA → Emitter Resistance = 100 Ω |
| Transconductancia del Transistor | gm = Ic / VT | Collector Current 100 µA, Thermal Voltage 10 mV → Transconductance = 10 mS |
| Resistencia Dinámica del Diodo | rd = VT / Id | Thermal Voltage 10 mV, Diode Current 100 µA → Dynamic Resistance = 100 Ω |
| Ganancia de Tensión en Emisor Común | Av = −Rc / re | Collector Resistor 100 Ω, Emitter Resistance 1 Ω → Voltage Gain = -100 |
| Relación Alfa–Beta del BJT | α = β/(β+1), β = α/(1−α) | Common-Emitter Gain β 0.055 → Common-Base Gain α = 0.05213 |
| Ganancia de Corriente del Par Darlington | βtotal = β1 · β2 | Gain β1 0.055, Gain β2 0.118 → Total Gain = 0.00649 |
| Impedancia de Entrada del Seguidor de Emisor | Zin ≈ β · RE | Current Gain β 0.025, Emitter Resistor 0.22 kΩ → Input Impedance = 5.5 Ω |
| Ganancia de Amplificador en Cascada | Av = Av1 · Av2 · Av3 | Stage 1 Gain 0.055, Stage 2 Gain 0.118, Stage 3 Gain 0.0118 → Total Gain = 7.66 × 10⁻⁵ |
| Corriente de Drenador del JFET (Shockley) | Id = Idss · (1 − Vgs/Vp)² | Idss 0.22 mA, Gate-Source Voltage 0.33 V, Pinch-off Voltage 0.726 V → Drain Current = 65.45 µA |
| Corriente de Drenador del MOSFET (Saturación) | Id = K · (Vgs − Vth)² | Conduction Parameter 100 µA/V², Gate-Source Voltage 0.33 V, Threshold Voltage 0.726 V → Drain Current = 15.68 µA |
| Resistencia de Base del Transistor Conmutador | Rb = (Vin − Vbe) · β / Ic | Drive Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Current Gain β 0.025, Collector Current 100 µA → Base Resistor = -99 Ω |
| Ganancia de Potencia del Amplificador | Ap = Av · Ai | Voltage Gain 0.055, Current Gain 0.118 → Power Gain = 0.00649 |
| Corriente de Polarización de Emisor del BJT | Ic ≈ (Vb − Vbe) / Re | Base Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Emitter Resistor 100 Ω → Collector Current = -3.96 mA |
| Ganancia del JFET en Fuente Común | Av = −gm · Rd | Transconductance 100 µS, Drain Resistor 100 Ω → Voltage Gain = -0.01 |
| Ganancia de Corriente en Colector Común | Ai = β + 1 | Current Gain β 0.055 → Current Gain = 1.055 |
Variables usadas en las fórmulas de Amplificadores discretos
- VT — Tensión térmica (V)
- T — Temperatura absoluta (K)
- k — Constante de Boltzmann 1.381×10⁻²³ J/K
- q — Carga elemental 1.602×10⁻¹⁹ C
- re — Resistencia de emisor de pequeña señal (Ω)
- Ie — Corriente de emisor en CC (A)
- gm — Transconductancia (S = A/V)
- Ic — Corriente de polarización de colector (A)
- rd — Resistencia dinámica de pequeña señal (Ω)
- Id — Corriente de polarización CC (A)
- Av — Ganancia de tensión (negativa = inversora)
- Rc — Resistencia de carga de colector (Ω)
- α — Ganancia de corriente en base común (Ic/Ie, < 1)
- β — Ganancia de corriente en emisor común (Ic/Ib)
- βtotal — Ganancia de corriente combinada
- β1 — Ganancia del primer transistor (excitador)
- β2 — Ganancia del segundo transistor (de salida)
- Zin — Impedancia de entrada vista hacia la base (Ω)
- RE — Resistencia de emisor / carga (Ω)
- Av(total) — Ganancia de tensión global
- Av1, Av2, Av3 — Ganancias individuales de cada etapa (fije en 1 las no utilizadas)
- Idss — Corriente de drenador con Vgs = 0 (A)
- Vgs — Tensión puerta-surtidor (V)
- Vp — Tensión de estrangulamiento / corte (V)
- K — Parámetro de conducción ½µCox(W/L) (A/V²)
- Vth — Tensión de umbral (V)
- Rb — Resistencia de base (Ω)
- Vin — Tensión alta de lógica/excitación (V)
- Vbe — Caída base-emisor (~0,7 V)
- Ap — Ganancia de potencia
- Ai — Ganancia de corriente (magnitud)
- Vb — Tensión en el nodo de base (V)
- Re — Resistencia de emisor (Ω)
- Rd — Resistencia de carga de drenador (Ω)
Preguntas frecuentes sobre Amplificadores discretos
- Re = vt / ie small signal emitter resistance calculation — Resistencia de Emisor de Pequeña Señal
- Transistor thermal voltage vt — Transconductancia del Transistor
- Dynamic resistance of diode formula rd = dv/di — Resistencia Dinámica del Diodo
- Common emitter voltage gain formula — Ganancia de Tensión en Emisor Común
- Bjt alpha beta relationship — Relación Alfa–Beta del BJT
- Bjt alpha beta — Relación Alfa–Beta del BJT
- Calculate the drain current for idss = 8ma, vp = −4 v and vgs = −2 v — Corriente de Drenador del JFET (Shockley)
- Jfet common source amplifier gain calculation — Ganancia del JFET en Fuente Común
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