Puissance d'Attaque de Grille MOSFET

Formule

Description

À chaque cycle de commutation, la capacité de grille du MOSFET doit être chargée jusqu'à Vgs puis déchargée jusqu'à zéro. L'énergie par cycle est Qg × Vgs, et la multiplication par la fréquence de commutation donne la puissance moyenne dissipée dans le circuit d'attaque de grille. Cette puissance est indépendante du courant de drain et est entièrement dissipée dans le circuit d'attaque de grille (et non dans le MOSFET lui-même). Aux fréquences de commutation élevées avec de gros MOSFET (Qg élevé), les pertes d'attaque de grille peuvent devenir importantes et doivent être incluses dans le bilan total des pertes.

Variables

• Pd — Perte de puissance moyenne d'attaque de grille (W)
• Qg — Charge totale de grille par cycle de commutation (C)
• Vgs — Tension d'attaque de grille (V)
• f — Fréquence de commutation (Hz)

Notes pratiques

Valeurs typiques de Qg : MOSFET petit signal 1-10 nC, puissance moyenne 10-50 nC, forte puissance 50-500 nC. La puissance d'attaque de grille provient de l'alimentation du circuit d'attaque, et non de l'étage de puissance. Les circuits d'attaque de grille en demi-pont nécessitent des condensateurs de bootstrap pour la grille du côté haut. Les transistors GaN ont un Qg bien plus faible que le silicium pour un même Rds(on), permettant des fréquences de commutation plus élevées.