Perte de Commutation du MOSFET

Formule

Description

Pendant chaque transition de commutation, le MOSFET traverse sa région linéaire où une tension et un courant significatifs existent simultanément, provoquant une dissipation de puissance. L'énergie perdue par transition est approximée par un triangle de puissance de crête V × I et de durée égale au temps de montée ou de descente. La perte de commutation totale croît linéairement avec la fréquence, ce qui en fait le mécanisme de perte dominant aux hautes fréquences de commutation. La force du pilote de grille et la charge de grille du MOSFET déterminent directement les temps de transition et donc les pertes de commutation.

Variables

• P — Perte de puissance de commutation moyenne (W)
• V — Tension drain-source commutée (V)
• I — Courant de drain commuté (A)
• tr — Temps de montée à l'enclenchement (s)
• tf — Temps de descente au déclenchement (s)
• f — Fréquence de commutation (Hz)

Notes pratiques

Ce modèle simplifié ne tient pas compte du recouvrement inverse de la diode de corps, des pertes de capacité de sortie (Coss) ni des pertes par charge de grille. Pour les applications en commutation dure, la perte totale du MOSFET = perte de conduction + perte de commutation + perte de pilotage de grille. Les topologies à commutation douce (ZVS/ZCS) peuvent quasiment éliminer les pertes de commutation.