Formules Semi-conducteurs
Les formules de semi-conducteurs décrivent le comportement des diodes, des transistors et de leurs réseaux de polarisation. Ces calculateurs vous aident à définir les points de fonctionnement et à prédire les courants et tensions des composants. Elles sous-tendent la conception des amplificateurs, des commutateurs et des interfaces de niveau logique.
Calculateurs de formules Semi-conducteurs
- Perte de Conduction du MOSFET P = I² × Rds(on)
- Perte de Commutation du MOSFET P = ½ × V × I × (tr + tf) × f
- Dissipation Totale du BJT P = VCE × IC + VBE × IB
- Perte de Puissance de la Diode P = Vf × If
- Résistance de Régulation Zener R = (Vin − Vz) / (Iz + Iload)
- Gain en Courant du Transistor (β) β = IC / IB
- Puissance d'Attaque de Grille MOSFET Pd = Qg × Vgs × f
- Rds(on) du MOSFET selon la Température RDS(T) = RDS_ref × (1 + tc × ΔT)
- Limite de Vitesse de Balayage d'Ampli-Op fmax = SR / (2π × Vpk)
- Vbe du BJT selon la Température Vbe(T) = Vbe_ref − 0.002 × ΔT
- Vf de Diode selon la Température Vf(T) = Vf_ref − 0.002 × ΔT
- Erreur d'Offset d'Entrée d'Ampli-Op Vos_total = Vos + drift × ΔT
- Marge de Commande de Grille du MOSFET Vmargin = Vgs − Vth
- Courant de Polarisation d'Émetteur de BJT Ic ≈ (VB − 0.7) / RE
- Équation de la Diode de Shockley I = Is × (e^(V/(n×Vt)) − 1)
- Perte Totale de l'IGBT P = Vce × Ic × D + Esw × f
- Perte de la Diode de Structure du MOSFET P = Vf × If × (1 − D)
- Énergie d'Avalanche du MOSFET Eas = 0.5 × L × I² × Vbr/(Vbr − Vcc)
- Capacité de la Diode Varicap C = Cj0 / (1 + V/Vbi)^m
- Courant de Crête du Driver de Grille Ipk = Vdrive / (Rdrv + Rg)
- Condensateur Bootstrap Cboot = Qg / ΔV
- Perte de Capacité de Sortie du MOSFET P = ½ · Coss · Vds² · fsw
- Perte par Recouvrement Inverse de la Diode P = Qrr · Vin · fsw
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