Résistance d'Émetteur en Petits Signaux

Formule

Description

La résistance d'émetteur intrinsèque en petits signaux d'un transistor bipolaire est la tension thermique divisée par le courant d'émetteur continu. Ce n'est pas une résistance physique mais la résistance dynamique de la jonction base–émetteur, et elle fixe le gain en tension maximal d'un étage à émetteur commun (Av = −Rc/re). Un courant de polarisation plus élevé abaisse re et augmente le gain, mais accroît aussi la puissance.

Variables

• re — Résistance d'émetteur en petits signaux (Ω)
• VT — Tension thermique (≈25–26 mV)
• Ie — Courant continu d'émetteur (A)

Notes pratiques

À 1 mA, re ≈ 25 Ω. Comme re dépend du courant de polarisation, un étage à émetteur commun non dégénéré présente un gain qui varie avec le point de fonctionnement et la température ; une résistance d'émetteur externe le stabilise.