Formules Amplificateurs discrets
Les formules Amplificateurs discrets couvrent Tension Thermique, Résistance d'Émetteur en Petits Signaux, Transconductance du Transistor et plus encore. Ces calculateurs vous permettent de résoudre n'importe quelle inconnue en saisissant les valeurs que vous connaissez déjà. Utilisez-les pour des vérifications rapides de conception, l'étude et la vérification de circuits réels.
Calculateurs de formules Amplificateurs discrets
- Tension Thermique VT = k · T / q Temperature 7.7 K → Thermal Voltage = 0.6635 mV
- Résistance d'Émetteur en Petits Signaux re = VT / Ie Thermal Voltage 10 mV, Emitter Current 100 µA → Emitter Resistance = 100 Ω
- Transconductance du Transistor gm = Ic / VT Collector Current 100 µA, Thermal Voltage 10 mV → Transconductance = 10 mS
- Résistance Dynamique de la Diode rd = VT / Id Thermal Voltage 10 mV, Diode Current 100 µA → Dynamic Resistance = 100 Ω
- Gain en Tension à Émetteur Commun Av = −Rc / re Collector Resistor 100 Ω, Emitter Resistance 1 Ω → Voltage Gain = -100
- Relation Alpha–Bêta du BJT α = β/(β+1), β = α/(1−α) Common-Emitter Gain β 0.055 → Common-Base Gain α = 0.05213
- Gain en Courant de la Paire Darlington βtotal = β1 · β2 Gain β1 0.055, Gain β2 0.118 → Total Gain = 0.00649
- Impédance d'Entrée du Suiveur d'Émetteur Zin ≈ β · RE Current Gain β 0.025, Emitter Resistor 0.22 kΩ → Input Impedance = 5.5 Ω
- Gain d'Amplificateurs en Cascade Av = Av1 · Av2 · Av3 Stage 1 Gain 0.055, Stage 2 Gain 0.118, Stage 3 Gain 0.0118 → Total Gain = 7.66 × 10⁻⁵
- Courant de Drain du JFET (Shockley) Id = Idss · (1 − Vgs/Vp)² Idss 0.22 mA, Gate-Source Voltage 0.33 V, Pinch-off Voltage 0.726 V → Drain Current = 65.45 µA
- Courant de Drain du MOSFET (Saturation) Id = K · (Vgs − Vth)² Conduction Parameter 100 µA/V², Gate-Source Voltage 0.33 V, Threshold Voltage 0.726 V → Drain Current = 15.68 µA
- Résistance de Base du Commutateur à Transistor Rb = (Vin − Vbe) · β / Ic Drive Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Current Gain β 0.025, Collector Current 100 µA → Base Resistor = -99 Ω
- Gain en Puissance de l'Amplificateur Ap = Av · Ai Voltage Gain 0.055, Current Gain 0.118 → Power Gain = 0.00649
- Courant de Polarisation d'Émetteur du BJT Ic ≈ (Vb − Vbe) / Re Base Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Emitter Resistor 100 Ω → Collector Current = -3.96 mA
- Gain du JFET à Source Commune Av = −gm · Rd Transconductance 100 µS, Drain Resistor 100 Ω → Voltage Gain = -0.01
- Gain en Courant à Collecteur Commun Ai = β + 1 Current Gain β 0.055 → Current Gain = 1.055
Résultat calculé pour chaque formule Amplificateurs discrets
| Formule | Expression | Résultat calculé |
|---|---|---|
| Tension Thermique | VT = k · T / q | Temperature 7.7 K → Thermal Voltage = 0.6635 mV |
| Résistance d'Émetteur en Petits Signaux | re = VT / Ie | Thermal Voltage 10 mV, Emitter Current 100 µA → Emitter Resistance = 100 Ω |
| Transconductance du Transistor | gm = Ic / VT | Collector Current 100 µA, Thermal Voltage 10 mV → Transconductance = 10 mS |
| Résistance Dynamique de la Diode | rd = VT / Id | Thermal Voltage 10 mV, Diode Current 100 µA → Dynamic Resistance = 100 Ω |
| Gain en Tension à Émetteur Commun | Av = −Rc / re | Collector Resistor 100 Ω, Emitter Resistance 1 Ω → Voltage Gain = -100 |
| Relation Alpha–Bêta du BJT | α = β/(β+1), β = α/(1−α) | Common-Emitter Gain β 0.055 → Common-Base Gain α = 0.05213 |
| Gain en Courant de la Paire Darlington | βtotal = β1 · β2 | Gain β1 0.055, Gain β2 0.118 → Total Gain = 0.00649 |
| Impédance d'Entrée du Suiveur d'Émetteur | Zin ≈ β · RE | Current Gain β 0.025, Emitter Resistor 0.22 kΩ → Input Impedance = 5.5 Ω |
| Gain d'Amplificateurs en Cascade | Av = Av1 · Av2 · Av3 | Stage 1 Gain 0.055, Stage 2 Gain 0.118, Stage 3 Gain 0.0118 → Total Gain = 7.66 × 10⁻⁵ |
| Courant de Drain du JFET (Shockley) | Id = Idss · (1 − Vgs/Vp)² | Idss 0.22 mA, Gate-Source Voltage 0.33 V, Pinch-off Voltage 0.726 V → Drain Current = 65.45 µA |
| Courant de Drain du MOSFET (Saturation) | Id = K · (Vgs − Vth)² | Conduction Parameter 100 µA/V², Gate-Source Voltage 0.33 V, Threshold Voltage 0.726 V → Drain Current = 15.68 µA |
| Résistance de Base du Commutateur à Transistor | Rb = (Vin − Vbe) · β / Ic | Drive Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Current Gain β 0.025, Collector Current 100 µA → Base Resistor = -99 Ω |
| Gain en Puissance de l'Amplificateur | Ap = Av · Ai | Voltage Gain 0.055, Current Gain 0.118 → Power Gain = 0.00649 |
| Courant de Polarisation d'Émetteur du BJT | Ic ≈ (Vb − Vbe) / Re | Base Voltage 0.33 V, Base-Emitter Voltage 0.726 V, Emitter Resistor 100 Ω → Collector Current = -3.96 mA |
| Gain du JFET à Source Commune | Av = −gm · Rd | Transconductance 100 µS, Drain Resistor 100 Ω → Voltage Gain = -0.01 |
| Gain en Courant à Collecteur Commun | Ai = β + 1 | Current Gain β 0.055 → Current Gain = 1.055 |
Variables utilisées dans les formules Amplificateurs discrets
- VT — Tension thermique (V)
- T — Température absolue (K)
- k — Constante de Boltzmann 1,381×10⁻²³ J/K
- q — Charge élémentaire 1,602×10⁻¹⁹ C
- re — Résistance d'émetteur en petits signaux (Ω)
- Ie — Courant continu d'émetteur (A)
- gm — Transconductance (S = A/V)
- Ic — Courant de polarisation de collecteur (A)
- rd — Résistance dynamique en petits signaux (Ω)
- Id — Courant de polarisation continu (A)
- Av — Gain en tension (négatif = inverseur)
- Rc — Résistance de charge de collecteur (Ω)
- α — Gain en courant en base commune (Ic/Ie, < 1)
- β — Gain en courant en émetteur commun (Ic/Ib)
- βtotal — Gain en courant combiné
- β1 — Gain du premier transistor (attaque)
- β2 — Gain du second transistor (sortie)
- Zin — Impédance d'entrée vue depuis la base (Ω)
- RE — Résistance d'émetteur / charge (Ω)
- Av(total) — Gain en tension global
- Av1, Av2, Av3 — Gains de chaque étage (mettre les étages inutilisés = 1)
- Idss — Courant de drain pour Vgs = 0 (A)
- Vgs — Tension grille-source (V)
- Vp — Tension de pincement / blocage (V)
- K — Paramètre de conduction ½µCox(W/L) (A/V²)
- Vth — Tension de seuil (V)
- Rb — Résistance de base (Ω)
- Vin — Tension logique/de commande à l'état haut (V)
- Vbe — Chute base-émetteur (~0,7 V)
- Ap — Gain en puissance
- Ai — Gain en courant (module)
- Vb — Tension au nœud de base (V)
- Re — Résistance d'émetteur (Ω)
- Rd — Résistance de charge de drain (Ω)
Questions fréquentes sur Amplificateurs discrets
- Re = vt / ie small signal emitter resistance calculation — Résistance d'Émetteur en Petits Signaux
- Transistor thermal voltage vt — Transconductance du Transistor
- Dynamic resistance of diode formula rd = dv/di — Résistance Dynamique de la Diode
- Common emitter voltage gain formula — Gain en Tension à Émetteur Commun
- Bjt alpha beta relationship — Relation Alpha–Bêta du BJT
- Bjt alpha beta — Relation Alpha–Bêta du BJT
- Calculate the drain current for idss = 8ma, vp = −4 v and vgs = −2 v — Courant de Drain du JFET (Shockley)
- Jfet common source amplifier gain calculation — Gain du JFET à Source Commune
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