Gain du JFET à Source Commune

Formule

Description

Le gain en tension d'un amplificateur FET à source commune est la transconductance du composant multipliée par la résistance de charge de drain, avec inversion. Comme le gm d'un FET est plus faible que celui d'un BJT comparable, les gains en source commune sont modestes, mais la très haute impédance d'entrée de la grille rend les étages FET idéaux comme étages d'entrée à faible charge et comme tampons à haute impédance.

Variables

• Av — Gain en tension (négatif = inverseur)
• gm — Transconductance (S)
• Rd — Résistance de charge de drain (Ω)

Notes pratiques

Avec une résistance de dégénérescence de source Rs, Av = −gm·Rd/(1 + gm·Rs), ce qui linéarise l'étage. Le gm d'un FET dépend du courant de polarisation, de sorte que le gain varie avec le point de fonctionnement.